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晶体管
NGTB40N65FL2WG参考图片

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NGTB40N65FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/40A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥34.2729
342.729
100
¥29.7416
2974.16
250
¥28.2048
7051.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N65FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 200mA NPN
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.99101
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:11153
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥164.2116
250:¥150.6855
500:¥143.4648
参考库存:35210
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.2541
200:¥313.8123
参考库存:35215
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥595.9733
100:¥583.4416
参考库存:35220
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:35225
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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