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晶体管
BSC0910NDIATMA1参考图片

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BSC0910NDIATMA1

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库存:28,189(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
5,000
¥6.8026
34013
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC, 30.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
42 S, 85 S
下降时间
2.4 ns, 4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSC0910NDI SP000998052
商品其它信息
优势价格,BSC0910NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3013
晶体管
MOSFET 30V; 2A; N-Channel Single
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
3,000:¥1.7628
参考库存:6725
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:3972
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:14324
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.9x2.8mm Flat lead
1:¥7.684
10:¥5.9777
100:¥5.2545
500:¥4.7008
1,000:¥3.1301
3,000:¥2.8024
参考库存:23161
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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