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FQPF33N10

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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF33N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
195 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQPF33N10_NL
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，FQPF33N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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