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晶体管
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FDD10N20LZTM

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库存:23,046(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.0737
50.737
100
¥3.277
327.7
1,000
¥2.6329
2632.9
2,500
¥2.6329
6582.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Qg-栅极电荷
12 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD10N20LZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD10N20LZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥119.0229
10:¥108.1862
25:¥100.118
50:¥94.6714
参考库存:39822
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0013 Ohm 45 A Pwr MOSFET
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:12862
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
1,000:¥20.9728
2,000:查看
参考库存:11364
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
10:¥1,132.7798
30:¥1,116.9485
50:¥1,116.8694
参考库存:39831
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:39836
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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