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晶体管
SISH129DN-T1-GE3参考图片

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SISH129DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9438
59.438
100
¥4.5652
456.52
500
¥3.9211
1960.55
1,000
¥3.1075
3107.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
11.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
优势价格，SISH129DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA144TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
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CSD17556Q5BT
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250:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.831
2,500:¥9.1417
5,000:¥8.8366
参考库存:42146
PH3134-75S
MACOM
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射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:42151
STH110N8F7-2
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2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
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IPA65R110CFDXKSA2
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MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
500:¥27.3573
1,000:¥23.052
2,500:¥21.8994
参考库存:42161

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