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晶体管
CSD88599Q5DCT参考图片

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CSD88599Q5DCT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:5,457(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.6353
50.6353
10
¥45.4938
454.938
100
¥37.3465
3734.65
250
¥35.0413
8760.325
500
¥31.8095
15904.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-22
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD88599Q5DC
商标
Texas Instruments
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
100.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88599Q5DCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW 160Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:303371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:145188
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
1:¥7.684
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
3,000:¥2.5764
参考库存:52555
晶体管
JFET NCH+NCH J-FET
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.9775
参考库存:31197
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,000:¥5.5709
参考库存:12004
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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