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晶体管
TK5P60W,RVQ参考图片

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TK5P60W,RVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.7576
1075.76
500
¥8.3733
4186.65
2,000
¥6.5653
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK5P60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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参考库存:2139

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