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晶体管
SIRC06DP-T1-GE3参考图片

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SIRC06DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5426
454.26
500
¥3.8985
1949.25
3,000
¥2.8815
8644.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
38.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SIRC06DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
参考库存:18486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Current
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:33803
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:159060
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:6467
晶体管
MOSFET 200V P-CHANNEL
1:¥5.4579
10:¥4.5652
100:¥2.938
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.3617
参考库存:30354
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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