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晶体管
BSC047N08NS3GATMA1参考图片

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BSC047N08NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSC047N08NS3 BSC47N8NS3GXT G SP000436372
单位重量
122.200 mg
商品其它信息
优势价格,BSC047N08NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
107:¥134.3909
250:¥122.5598
500:¥114.6498
参考库存:38170
晶体管
MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III
1:¥47.9459
10:¥40.8043
100:¥35.3464
250:¥33.5045
1,000:¥25.3572
2,000:查看
参考库存:9710
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥135.1593
250:¥124.1757
500:¥114.4125
参考库存:38177
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,440.2076
参考库存:38182
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
124:¥116.7177
250:¥106.4234
500:¥99.5869
1,000:¥91.2814
参考库存:38187
  • 海量现货

    50万现货SKU

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