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晶体管
HGTG18N120BND参考图片

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HGTG18N120BND

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库存:6,365(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥40.567
405.67
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.3463
8336.575
500
¥29.8885
14944.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG18N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG18N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG18N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.181
参考库存:17032
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:7084
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:查看
参考库存:4806
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4788
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,500:¥10.3734
参考库存:50115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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