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晶体管
SIHW47N60E-GE3参考图片

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SIHW47N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
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数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.3932
673.932
25
¥61.3929
1534.8225
100
¥55.4039
5540.39
250
¥50.9404
12735.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
152 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
379 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
56 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
91 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHW47N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN5433
InterFET
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JFET JFET N-Channel
69:¥103.508
100:¥95.2025
250:¥86.8292
500:¥81.1453
参考库存:47789
TSM150P03PQ33 RGG
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10,000:¥1.5707
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AIHD10N60RATMA1
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1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
2,500:¥6.8591
5,000:查看
参考库存:47799
TSC5804DCH C5G
Taiwan Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast Switching NPN Transistor with diode
15,000:¥2.0227
24,375:¥1.9436
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AUIRFR2307Z
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MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
3,000:¥6.4749
6,000:¥6.2263
9,000:¥5.989
参考库存:47809

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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