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晶体管
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HGTG30N60B3D

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数量单价合计
1
¥49.7878
49.7878
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.2674
3726.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60B3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60B3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG30N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856BM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 65V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:152467
IRF840LCLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3589
BD440S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
参考库存:8486
IRF624PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.5258
参考库存:5028
BC807-40WT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.3786
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:49270

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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