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晶体管
HGTG30N60B3D参考图片

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HGTG30N60B3D

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库存:6,540(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.7878
49.7878
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.2674
3726.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60B3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60B3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG30N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:297751
晶体管
MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:128983
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1639
参考库存:44970
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:41042
晶体管
MOSFET N-Ch, 400V-0.85ohms 5.4A
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.0625
参考库存:8474
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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