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晶体管
DMN1019USN-13参考图片

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DMN1019USN-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
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数量单价合计
10,000
¥0.82264
8226.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
9.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
530 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
50.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.2 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN1019USN-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:11675
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:2572
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS3 Trench IGBT
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:5259
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:4586
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:17408
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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