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晶体管
IPB011N04LGATMA1参考图片

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IPB011N04LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存：6,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
1,000
¥17.3681
17368.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
346 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB011N04L IPB11N4LGXT SP000391498
商品其它信息
优势价格，IPB011N04LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS7556S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
3,000:¥9.379
6,000:查看
参考库存:21823
IRFI3205PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 56A 8mOhm 113.3nC
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:25595
IPD90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
2,500:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:68577
IPD90N03S4L-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.9948
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.2093
2,500:¥3.6499
10,000:查看
参考库存:7789
FDMC7680
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
3,000:¥4.6782
9,000:查看
参考库存:31671

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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