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晶体管
SI2309CDS-T1-E3参考图片

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SI2309CDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:46,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
1 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI2309CDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2309CDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥10.0683
10:¥8.5315
100:¥6.5992
500:¥5.8308
2,500:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:16439
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:81516
晶体管
IGBT 晶体管 N-CH 600V 50A
1:¥57.7882
10:¥52.2512
25:¥49.7878
100:¥43.2564
参考库存:5233
晶体管
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:35930
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥5.6048
10:¥5.537
25:¥4.746
100:¥4.2714
参考库存:9697
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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