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晶体管
SQJB00EP-T1_GE3参考图片

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SQJB00EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
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库存：16,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC, 35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
36 S, 36 S
下降时间
22 ns, 22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJB00EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN2R2-40BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥19.8993
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
800:¥9.831
参考库存:25363
VN0104N3-G P005
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥6.0681
10:¥5.0737
25:¥4.2262
100:¥3.842
2,000:¥2.486
参考库存:25368
BUK963R2-40B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:25373
VP0106N3-G P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
参考库存:25378
VP2206N3-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:25383

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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