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SGL50N60RUFDTU

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¥57.7882
57.7882
10
¥52.2512
522.512
25
¥49.7878
1244.695
100
¥43.2564
4325.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGL50N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
SGL50N60RUFDTU_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5:¥280.0818
10:¥272.0927
参考库存:35099

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