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晶体管
IPT015N10N5ATMA1参考图片

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IPT015N10N5ATMA1

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库存:107,574(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.3303
52.3303
10
¥47.2566
472.566
25
¥45.1096
1127.74
100
¥39.1093
3910.93
2,000
¥28.589
57178
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
169 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
36 ns
零件号别名
IPT015N10N5 SP001227040
单位重量
772.860 mg
商品其它信息
优势价格,IPT015N10N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥196.6313
5:¥187.7947
10:¥181.9526
25:¥167.2061
参考库存:5905
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.5934
参考库存:5632
晶体管
MOSFET 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥7.6049
10:¥6.3506
100:¥5.6274
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,000:¥3.1527
参考库存:50859
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥9.605
10:¥7.7631
100:¥6.8365
500:¥5.3675
1,000:¥4.2827
参考库存:41666
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0286
100:¥5.4014
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.7629
参考库存:17658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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