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晶体管
HN1B04FE-Y,LF参考图片

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HN1B04FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
4,000
¥0.33787
1351.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz, 80 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1B04
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,HN1B04FE-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
1:¥6.3732
10:¥5.5144
100:¥3.8194
1,000:¥2.8476
参考库存:12646
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4643
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:2770
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4487
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:27754
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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