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晶体管
CSD86311W1723参考图片

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CSD86311W1723

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET
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库存:9,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.424
542.4
500
¥4.7912
2395.6
3,000
¥3.3561
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-12
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
2.32 mm
系列
CSD86311W1723
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.74 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.2 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
单位重量
4.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD86311W1723的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:10525
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.9101
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:34162
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.9103
10:¥11.526
100:¥8.9948
500:¥7.8422
1,000:¥6.4749
3,000:¥6.4749
参考库存:33514
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.0003
参考库存:29166
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
2,500:¥5.8986
5,000:查看
参考库存:16668
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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