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晶体管
IRFSL4127PBF参考图片

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IRFSL4127PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
500
¥23.5153
11757.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
79 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001557538
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL4127PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,387.9564
10:¥1,273.623
25:¥1,142.995
50:¥1,012.367
参考库存:1027
晶体管
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1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
参考库存:1579
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥38.8042
10:¥32.1146
100:¥26.4307
250:¥25.5832
3,000:¥18.3625
参考库存:1116
晶体管
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥15.2098
500:¥13.2888
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:1068
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
2,500:¥0.27685
8,000:¥0.23843
参考库存:35380
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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