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晶体管
2N3055G参考图片

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2N3055G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 15A 60V
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数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
200
¥31.3462
6269.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
2.5 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N3055
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
115000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12 g
商品其它信息
优势价格,2N3055G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥132.3908
10:¥120.3337
25:¥111.2598
50:¥105.2708
参考库存:3338
晶体管
MOSFET 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
1:¥44.1039
10:¥37.4934
100:¥32.4988
250:¥30.8151
500:¥27.6624
800:¥27.6624
参考库存:3420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:43227
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nch MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.6104
100:¥3.2318
500:¥2.9945
1,000:¥2.6103
参考库存:8229
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:18231
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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