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晶体管
BSC265N10LSF G参考图片

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BSC265N10LSF G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:22,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.7968
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N1LSFGXT SP000379618
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC265N10LSF G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.6841
10:¥7.9891
3,000:¥7.9891
参考库存:12090
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥8.5315
10:¥6.9156
100:¥6.0455
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10267
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
1,000:¥4.0115
2,500:¥4.0115
参考库存:14409
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp
1:¥7.684
10:¥6.2376
100:¥5.5144
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
参考库存:14231
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:20263
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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