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晶体管

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APTGT600SK60G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:41,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,205.9247
1205.9247
5
¥1,176.1944
5880.972
10
¥1,147.8314
11478.314
25
¥1,106.1118
27652.795
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
700 A
栅极—射极漏泄电流
800 nA
Pd-功率耗散
2.3 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT600SK60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
1:¥19.21
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:3910
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9492
晶体管
MOSFET 60V N-CH MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:14819
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.07576
10:¥0.97632
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:148001
晶体管
达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:8948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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