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晶体管
BSS138W H6327参考图片

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BSS138W H6327

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库存:579,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7402
17.402
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.43844
1315.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.12 S
下降时间
8.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.7 ns
典型接通延迟时间
2.2 ns
零件号别名
BSS138WH6327XT BSS138WH6327XTSA1 SP000924068
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS138W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:23114
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:5711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:23121
晶体管
MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:23126
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 15A
1,500:¥8.5315
4,500:¥8.2264
9,000:¥7.91
参考库存:23131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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