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晶体管
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BSC016N06NS

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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
1,000
¥7.7631
7763.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC016N06NSATMA1 BSC16N6NSXT SP000924882
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC016N06NS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
2,500:¥1.8645
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1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
5,000:¥3.8872
10,000:查看
参考库存:15593
晶体管
达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.8419
参考库存:81160
晶体管
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1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
800:¥8.8366
参考库存:126287
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.52206
20,000:查看
参考库存:111119
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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