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晶体管
IHW30N110R3参考图片

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IHW30N110R3

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库存:3,189(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N110R3FKSA1 IHW3N11R3XK SP000702510
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IHW30N110R3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:16460
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:55387
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:15959
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:228721
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 65 V, 100 mA NPN General Purpose Tran
1:¥2.5312
10:¥1.7063
100:¥0.71416
1,000:¥0.48364
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:43053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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