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晶体管
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IPDD60R080G7XTMA1

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库存：5,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.9458
45.9458
10
¥41.4936
414.936
25
¥39.5726
989.315
100
¥34.352
3435.2
1,700
¥25.1312
42723.04
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HDSOP-10
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
174 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1700
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPDD60R080G7 SP001632824
商品其它信息
优势价格，IPDD60R080G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPC3980ZTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET
1:¥6.6896
10:¥5.8195
25:¥5.6726
50:¥5.4918
1,000:¥2.5764
参考库存:20460
BSS306N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:337832
PMPB27EP,115
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB27EP/SOT1220/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:82899
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:46301
SI1302DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.243
参考库存:199208

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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