DTA114YU3T106详细参数_参考价格_DTA114YU3T106 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSZ036NE2LS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 5,000:¥2.5538 10,000:查看	参考库存:33119
LSIC1MO120E0080	Littelfuse	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET	1:¥152.1432 10:¥138.312 25:¥127.9386 50:¥121.4072	参考库存:7881
APT4M120K	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS8	1:¥33.5045 10:¥26.9731 100:¥24.5097 250:¥22.1254	参考库存:22283
BSS670S2LH6433XTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH	1:¥2.7685 10:¥1.808 100:¥0.77631 1,000:¥0.5989 10,000:¥0.40002 20,000:查看	参考库存:49785
CSD88539ND	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET	1:¥6.6105 10:¥5.6048 100:¥4.3166 500:¥3.8081 2,500:¥2.6781 10,000:查看	参考库存:139912