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晶体管
SI4062DY-T1-GE3参考图片

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SI4062DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.2998
3649.9
1,000
¥5.763
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
32.1 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4062DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.39211
参考库存:155766
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 1W
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:12723
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4890
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN/PNP
1:¥37.2674
10:¥33.2672
100:¥30.2727
250:¥27.3573
参考库存:1747
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
1:¥68.6927
10:¥68.0825
25:¥62.0144
100:¥56.0141
参考库存:2339
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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