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晶体管
CSD88539ND参考图片

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CSD88539ND

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.8081
1904.05
2,500
¥2.6781
6695.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88539ND
晶体管类型
2 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPCA8052-H(TE12L,Q
Toshiba
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1:¥81.2922
10:¥74.693
25:¥71.6194
100:¥63.0879
1,000:¥51.4828
参考库存:6622
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25:¥4,791.3582
参考库存:35089
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥296.06
2:¥288.0709
5:¥280.0818
10:¥272.0927
参考库存:35099

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