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晶体管
SIHG11N80E-GE3参考图片

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SIHG11N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.2838
262.838
100
¥21.5943
2159.43
250
¥20.905
5226.25
500
¥18.7467
9373.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG11N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C423NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥3.5934
10,000:¥3.4578
25,000:¥3.3448
参考库存:24965
RN2313,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:24970
PDTD113EUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:24975
FCX558QTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:14572
PMT200EPEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMT200EPE/SOT223/SC-73
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:24982

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    50万现货SKU

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