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晶体管
STI300N4F6参考图片

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STI300N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 160A I2PAK STripFET
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数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
240 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STI300N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI300N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/PNP -65 V -100mA
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
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1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
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1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:42655
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:80609
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