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晶体管
STP140N6F7参考图片

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STP140N6F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥17.7523
17.7523
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5316
5265.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP140N6F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP140N6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17303Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6106
500:¥7.5823
2,500:¥5.8534
5,000:查看
参考库存:21865
FDD5690
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.4015
500:¥6.5427
2,500:¥4.5765
10,000:查看
参考库存:28327
TPH11003NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
1:¥5.6048
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8871
参考库存:21784
APT75GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:5121
IRFP9140NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:9063
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