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晶体管
IRLZ14PBF参考图片

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IRLZ14PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
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库存:8,270(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.1133
61.133
100
¥5.4127
541.27
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.39
3390
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRLZ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRLZ14PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
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晶体管
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1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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