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晶体管
STW70N60M2-4参考图片

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STW70N60M2-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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库存:51,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥89.5977
89.5977
10
¥80.9871
809.871
25
¥77.2242
1930.605
100
¥67.0768
6707.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW70N60M2-4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
优势价格,STW70N60M2-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET Junction FET
1:¥4.3053
10:¥3.6951
100:¥2.825
500:¥2.1131
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.3673
参考库存:24008
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 1A Epitaxial
1:¥4.6104
10:¥3.8646
100:¥2.3617
1,000:¥1.8193
2,500:¥1.5481
参考库存:13085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 50V 40W PNP
1:¥6.7574
10:¥5.5935
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
参考库存:12432
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.7685
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
2,000:¥0.4068
参考库存:32119
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:30671
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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