RN2313,LF详细参数_参考价格_RN2313,LF PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2313
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPP057N06N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6105 500:¥5.8421 1,000:¥4.6104	参考库存:9862
STGB10NB37LZT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT	1:¥20.3626 10:¥17.289 100:¥13.8312 500:¥12.1362 1,000:¥10.0683	参考库存:8564
BUL654	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	1:¥10.8367 10:¥9.2208 100:¥7.1077 500:¥6.2828	参考库存:14256
FGD3N60LSDTM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application	1:¥8.6784 10:¥7.4467 100:¥5.7178 500:¥5.0511 1,000:¥3.9889 2,500:¥3.9889	参考库存:17063
PEMD17,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7	1:¥3.0736 10:¥2.0566 100:¥0.86106 1,000:¥0.58421 4,000:¥0.46104	参考库存:24280