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晶体管
SIHFR1N60A-GE3参考图片

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SIHFR1N60A-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds TO-252 DPAK
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库存：6,093(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.3619
63.619
100
¥4.8816
488.16
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SIHFR
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.88 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SIHFR1N60A-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:5043
MSC140SMA120S
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥109.1919
5:¥103.5758
10:¥99.7338
25:¥95.8918
参考库存:5200
DDC144EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:169547
TN2640N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.6051
25:¥9.605
100:¥8.7575
2,000:¥5.65
参考库存:27052
DDA144EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:27057

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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