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晶体管
AUIRFL024NTR参考图片

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AUIRFL024NTR

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET Automotive MOSFET 55V, 2.8A, 75 mOhm
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9438
594.38
500
¥5.2545
2627.25
2,500
¥3.6838
9209.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001519268
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,AUIRFL024NTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
9,000:¥0.99892
参考库存:13309
晶体管
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:143976
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
参考库存:5658
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:129445
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:5297
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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