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晶体管
CSD19538Q3A参考图片

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CSD19538Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-ch MOSFET
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库存:25,150(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
2,500
¥1.9323
4830.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD19538Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19538Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 500V 4A
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
2,500:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:14421
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 1A
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:73153
晶体管
达林顿晶体管 Low Volt NPN Darlington Trans
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
参考库存:7760
晶体管
MOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
参考库存:18102
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
4,000:¥4.0454
参考库存:23254
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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