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晶体管
IPL60R365P7AUMA1参考图片

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IPL60R365P7AUMA1

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库存:83,027(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
3,000
¥7.4015
22204.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPL60R365P7 SP001606054
商品其它信息
优势价格,IPL60R365P7AUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:41751
晶体管
MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
1:¥3.616
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:17050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:4192
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41760
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
参考库存:14014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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