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晶体管
CSD18509Q5BT参考图片

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CSD18509Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:14,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.6842
1168.42
250
¥11.6842
2921.05
500
¥10.2152
5107.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18509Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18509Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1019
参考库存:25454
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:8016
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.6787
500:¥13.221
参考库存:7103
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:43730
晶体管
MOSFET 60V 3.5Ohm
1:¥6.3732
10:¥6.3167
25:¥5.2997
100:¥4.8251
参考库存:22152
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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