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晶体管
NST857BDP6T5G参考图片

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NST857BDP6T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP GP TRANS SOT-963
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69947
699.47
8,000
¥0.46895
3751.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST857BDP6
直流电流增益 hFE 最大值
220 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
420 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NST857BDP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:41230
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:41235
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:41240
晶体管
MOSFET 30V 1.9A 2.25W
3,000:¥2.0001
6,000:¥1.8758
9,000:¥1.808
24,000:¥1.7289
参考库存:41245
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:41250
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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