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晶体管
BUL1203E参考图片

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BUL1203E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET
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库存:19,373(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.9043
3452.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
550 V
集电极—基极电压 VCBO
1.2 kV
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1203E
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
100000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,BUL1203E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:6015
晶体管
MOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
2,500:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:14697
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:8009
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.712
参考库存:47386
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥71.303
10:¥64.4665
25:¥61.472
100:¥53.4038
参考库存:4128
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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