您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGIPS10C60参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGIPS10C60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:9,448(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥85.5975
85.5975
10
¥78.6819
786.819
25
¥75.4614
1886.535
100
¥66.4666
6646.66
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
33 W
封装 / 箱体
SDIP-25
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
系列
STGIPS10C60
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
132
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPS10C60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥3.8759
6,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:49713
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,526.2006
参考库存:49718
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:49723
晶体管
MOSFET 600V 4A Single NChnl Power MOSFET
4,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
24,000:¥3.5143
参考库存:49728
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:29782
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们