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晶体管
PTFB193404F-V1-R0参考图片

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PTFB193404F-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,281.0019
64050.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1990 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB193404F-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.5368
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:26115
晶体管
MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
1:¥5.8421
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:4302
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:221369
晶体管
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:33076
晶体管
MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
1:¥21.9785
10:¥18.6676
参考库存:4578
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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