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APTLGL325A1208G

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¥2,382.1191
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
Pd-功率耗散
1.5 kW
封装 / 箱体
LP8
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APTLGL325A1208G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:46883

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