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晶体管
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AFT31150NR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
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数量单价合计
1
¥1,566.5416
1566.5416
5
¥1,531.5794
7657.897
10
¥1,500.2219
15002.219
25
¥1,478.0965
36952.4125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2700 MHz to 3100 MHz
系列
AFT31150N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
741 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935346512578
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,AFT31150NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
100:¥44.7932
300:¥41.8778
500:¥39.1093
1,000:¥36.5781
2,500:¥36.4199
参考库存:3549
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W NPN
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
参考库存:7516
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥8.0682
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.3844
参考库存:18943
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.9662
参考库存:21105
晶体管
MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:23862
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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