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晶体管
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2N5822

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW
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数量单价合计
1
¥23.278
23.278
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.75 V
最大直流电集电极电流
750 mA
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
750 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
-
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5822 PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
优势价格,2N5822的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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4,500:查看
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暂无价格
参考库存:12052
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