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晶体管
IPI47N10S-33参考图片

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IPI47N10S-33

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数量单价合计
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2885
7288.5
2,500
¥6.78
16950
5,000
¥6.5314
32657
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPI47N10S33AKSA1 IPI47N1S33XK SP000225703
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI47N10S-33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK58A06N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
1:¥10.2943
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
参考库存:5065
2SD2114KT146V
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:25412
2N3791
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:4279
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
1,500:¥2.0679
参考库存:5036
BSV52LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 12V Switching NPN
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:98023

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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